2025年8月5-7日，美国加州圣克拉拉会议中心举办了第19届FMS大会（Future of Memory and Storage，大会前称“闪存峰会”），目前过去快10天了。由于目前国内很多人员没有办法去现场参会，我们根据参会的合作伙伴沟通的信息，以及本次各方参会情况，给大家做一个会后的简要分析供大家参考。

本次大会全球参会者~3442人，相对于2024年有增长，其中美国籍参会者占绝大多数（3004人），占所有参展人数的约88%，其他国家/地区代表主要来自韩国、中国大陆、中国台湾、日本、以色列、印度、英国等。从城市/国家分布看，美国加州本地参会人数最多；占据美国本土的人数的绝对比例（约83%），其它州（如德州、科罗拉多、马萨诸塞、爱达荷等）人数相对较少。感兴趣的可以对比Saniffer公司去年同期发布的FMS 2024总结。

大会现场依旧人山人海，展商展台林立。Saniffer公司的重量级测试工具合作伙伴全部悉数到场，包括SerialTek, SanBlaze, SerialCables, Quarch, NplusT, Ellisys等，涉及今年热度最高的PCIe 6.0/CXL 3.X协议分析、训练和CTS测试，PCIe 6.0 SSD测试，QLC NAND特性分析和测试，搭建PCIe 6.0的各种测试环境所用的工具、线缆和治具，DDR5/HBM/CMM-DDR5的协议分析和测试，等等。感兴趣的可以参照本文底部链接下载上述各个厂家的测试方案。

通过参会企业统计，我们共识别出1020家参展公司，其中代表人数最多的几家为：SanDisk/Western Digital（多处分支累计≈300人）、Micron（≈160人）、Samsung（三星半导体≈150人）、Kioxia（铠侠≈100人）、SK hynix（≈76人）、Solidigm（英特尔存储部门≈95人）、Silicon Motion、Celestica 等（详情见后表）。参会人员职能角色上，我们根据职称关键词粗略分类：约29.7%为管理类（Director/VP/GM等高管）、29.4%为技术类（Engineer/Scientist/R&D等）、20.4%为市场/销售类（Marketing/Sales/BD等）、剩余20.5%为其他类型（Analyst、Specialist、Consultant等）。下表汇总了职能分布：

下面是参会人员根据国家和地区的数量的排序，供参考：

下面是北美（美国、加拿大）各个州的参与人数的统计表格：

本次中国大陆展商相比较去年的FMS 2024更少，下降趋势更加明显，总计仅15家公司有来自中国的工程师参加，其中8家中资（少于2024年12家）、7家外企；8家中资公司包括5家SSD厂家+1家互联网公司，如下：

• YMTC

• Longsys

• DapuStor

• BIWIN

• Xi’an UniIC /紫光国芯

• ByteDance

另外7家外企如下：

• Sandisk

• Solidigm

• Micron

• Informa Techtarget (Omdia)

• Lam Research

• SAMT

• Ridger

大会技术热点与主要厂商动态

大会主题围绕内存与存储在AI和高性能计算时代的新机遇，展示了多项前沿技术。主要技术方向包括CXL（Compute Express Link）*与*PCIe 6.0/Gen6高速互联接口、HBM（高带宽内存）*等新型内存，以及各类*高容量SSD与NAND闪存技术、AI内存架构等。多位分析师总结指出：本届大会与2024年相似，但AI浪潮强势推动存储技术升级，如CXL、HBM、PCIe Gen6成为重点议题。大会展厅和报告中频繁出现的大类关键词有：高带宽闪存（High Bandwidth Flash）、HBM4/3E、PCIe Gen6 SSD、CXL内存扩展、超高容量QLC SSD、分布式存储加速器（DPU/NVMe RAID加速卡）等s。

各大厂商在展会上发布或演示了最新产品：

• 铠侠（Kioxia）重点推出业界首款245.76 TB NVMe SSD（LC9系列）和多款基于BiCS FLASH 8/9/10代闪存的SSD。展位演示中还展示了32芯片堆叠、带CXL接口的XL-Flash缓冲存储器和高密度3D TLC闪存等技术。Kioxia的主题演讲明确提出，闪存技术将优化AI基础设施投资。

• SK hynix（SK海力士）*带来*12层HBM4堆叠内存样品及基于DDR5的CXL记忆模块（CMM-DDR5）等AI内存产品；同时展出了多款超大容量SSD，包括采用176层4D NAND的PS1010（E3.S接口）、238层4D NAND的PEB110（E1.S接口）以及最新245TB大容量企业级SSD（PS1101 E3.L接口），为业界最高。SK海力士强调其全栈AI内存战略，并进行了基于Xeon 6平台+CMM-DDR5的演示，验证其在实际服务器中的可扩展性。

• Micron（美光）*演讲中提及，将通过*PCIe Gen6 SSD、高容量SSD、HBM3E内存和“SOCAMM”（片上系统内存模块）等解决方案驱动AI应用。美光关注优化能效和延迟，以满足云端与边缘的高性能AI需求。

• Samsung（三星）*方面，虽然公开报道较少，但据大会内容，其展台和演讲重点包括*HBM堆栈、DDR5/CXL内存互联技术以及PCIe Gen5/Gen6 SSD产品。此外，三星在会前已宣布8通道PCIe5.0 SSD量产，可推测其Gen6计划也将发布。

• Solidigm（英特尔存储业务）此前已推出业界最大容量SSD——122.88 TB PCIe SSD（D5-P5336）news.solidigm.com。尽管该产品是在年初发布，这一成果体现了高密度闪存进展，也呼应了大会对超大容量存储的关注。

• Meta（Facebook）、Google等云服务巨头虽未公布新品，但它们参与了平台标准论坛和技术讨论，关注数据中心内存/存储优化和AI推理架构话题。其他存储厂商如Silicon Motion、Marvell、Supermicro等，也展示了新一代SSD控制器、DPU/RAID加速卡等产品。

总体来看，厂商动向与技术趋势高度吻合：AI时代的计算与存储融合加速，推动CXL内存扩展、HBM等新型DRAM存储以及高速互联接口走向成熟；同时传统闪存技术不断突破（更高层数的NAND、更密集的堆叠），以满足数据中心和AI应用对大容量、低延迟的需求。

区域与技术趋势分析

结合参会人员的地域分布和大会技术内容，可以观察到技术焦点与地域来源呈现一定规律性。代表人数众多的日韩存储厂商（三星、铠侠、SK海力士）更侧重于HBM/AI DRAM、大容量SSD和CXL技术，例如SK海力士展示了HBM4和CXL内存模块，铠侠推出超大容量SSD并演示了CXL接口的闪存结构。美国企业（如美光等）则关注PCIe Gen6/更高带宽存储接口、系统级内存解决方案和整体数据中心优化，Solidigm的122TB SSD便体现了美国产品在高密度存储上的投入。中国企业参会者主要来自本土闪存与SSD公司（如长江存储/YMTC、BIWIN、Longsys、大普等），它们多关注NAND闪存技术与成本优化，展示内容主要是高层数NAND和工业存储方案。总体来看，“技术聚焦 — 地域来源”格局明显：区域内的产业背景和市场需求在很大程度上决定了参会代表关注的技术方向。

另外，从市场趋势看，AI、边缘计算和数据中心升级是存储产业的共识动因。大会多次强调，AI训练与推理对存储带宽、容量和延迟提出了前所未有的挑战，这促使厂商推出新一代内存架构（如CXL共享内存、HBM叠层）和高性能存储产品。同时，专业化加速卡（DPU、GPU直连SSD等）在大规模计算场景中崭露头角，反映出存储与计算的深度融合也是当前热点。未来，预计随着AI、5G/边缘等应用持续发展，内存与存储体系将进一步细分和优化，以应对多样化的算力需求。