下图给出了 IEC-61000-4-2 ESD发生器的简化模型图

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其中Cd + Cs 的典型值为 150 pF；Rd 的典型值为 330 Ω。

虽然这个和昨天的HBM放电模型图有点像，但是仔细看的话会发现放电的电容值和电阻值与不同，主要是因为IEC-61000-4-2标准是为日常使用设计的标准，而HBM、CDM和MM模型都是为了芯片生产、组装、运输过程而设计的。

所以他们的放电曲线是不同的，如下图

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接触放电电流波形参数

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测量 30 ns 和 60 ns 电流时间的参考点是电流首先达到放电电流第一个峰值的 10%。

注:上升时间 tr是第一峰值电流的 10 % 和 90 % 值之间的时间间隔。

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4 kV 时的理想接触放电电流波形

上图的理想化波形 I(t) 的方程如下：

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这个公式不做详细介绍，感兴趣的可以找一下相关论文看一下。

但是可以看出ESD打坏器件是由于产生瞬间的大电流，所以我们在设计时，接口处一定要记得预留保护器件哟。下期介绍ESD器件选型。

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