J. Bastos, M. Steyaert, B. Graindourze and W. Sansen, “Matching of MOS transistors with different layout styles,” Proceedings of International Conference on Microelectronic Test Structures, 1996, pp. 17-18, doi: 10.1109/ICMTS.1996.535615.

摘要

提出了一种具有不同布局风格的NMOS晶体管对的测试芯片，以研究其对匹配的影响。 发现常见的质心结构比手指样式结构具有更好的匹配性能。 它们没有显示出系统失配，并且对通道面积具有匹配依赖性，这与简单矩形结构的测量结果一致。 在封装引起的裸片应力下，指型晶体管对显示晶体管匹配的扩散比仅考虑沟道面积随机波动所预测的值高 5 倍。

结论是建议公共质心?

调研

太老的文章调研不需太重视。
除了一般晶体管匹配理论 [1] 之外，关于 不同 布局样式的匹配行为的信息很少。 匹配研究通常在简单的矩形晶体管上进行，这对于大 $\frac{W}{L} 比变得不切实际。 基于过程梯度、温度梯度、各向异性效应和边界效应 [2] 的假设，几个布局规则被普遍接受用于最佳匹配。 建议使用常见的质心几何形状（或点对称）以获得最佳匹配。 然而，对于两个以上的晶体管，这些结构变得越来越复杂，在面积上会受到严重影响。本文描述了一种测试芯片，该芯片在标准 0.7~ CMOS 技术中研究了四种不同晶体管布局样式在大 $\frac{W}{L} 比率下的匹配行为 .

数据集

实验指标

具体方法