爱因斯坦关系式(Einstein Relation)

一句话速记
扩散快慢 = 迁移快慢 × 室温“能量”


🌡 公式速读
在热平衡条件下,载流子的扩散系数 D 与迁移率 μ 满足

[
\frac{D}{\mu}= \frac{k_{\text{B}}T}{q}
]

  • (D)(m²/s):扩散系数
  • (\mu)(m²/(V·s)):迁移率
  • (k_{\text{B}}=1.380649\times10^{-23}) J/K:玻尔兹曼常数
  • (T)(K):绝对温度
  • (q)(C):载流子电荷(电子 (q=-e),空穴 (q=e))

🧬 物理图像
把电子想象成拥挤地铁里的乘客:

  • 车厢里人越多,越容易发生“无规则扩散”(扩散项 ∝ D)。
  • 列车启动后,乘客整体被带着走(漂移项 ∝ μE)。
  • 爱因斯坦关系式说:在热平衡时,这两种运动的“效率”只差一个室温能量 (k_{\text{B}}T)。

🧮 推导 30 秒版(1D 模型)

  1. 漂移电流:(J_{\text{drift}} = n q \mu E)
  2. 扩散电流:(J_{\text{diff}} = -q D \dfrac{\text{d}n}{\text{d}x})
  3. 热平衡时净电流为 0:(J_{\text{drift}}+J_{\text{diff}}=0)
  4. 利用玻尔兹曼分布 (n(x)=n_0\exp!\left(-\dfrac{qV(x)}{k_{\text{B}}T}\right)) 带入并化简,即得
    [
    \boxed{\displaystyle \frac{D}{\mu}= \frac{k_{\text{B}}T}{q}}
    ]

🧪 Python 小实验(无需外链,复制即跑)

# pip install numpy matplotlib
import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt

# 常数
kB = 1.380649e-23      # J/K
q  = 1.602176634e-19   # C
T  = 300               # K

# 给定迁移率 μ = 0.14 m^2/(V·s)(硅中电子典型值)
mu_n = 0.14
Dn = mu_n * kB * T / q

print(f"D_n = {Dn:.2e} m^2/s")

# 可视化:μ 从 0.01 到 0.2 时 D 的变化
mu = np.linspace(0.01, 0.2, 100)
D  = mu * kB * T / q
plt.plot(mu, D*1e4)          # 转成 cm^2/s 更直观
plt.xlabel('μ (m²/(V·s))')
plt.ylabel('D (cm²/s)')
plt.title('Einstein Relation: D vs μ at 300 K')
plt.grid(alpha=0.3)
plt.show()

运行结果:当 μ = 0.14 m²/(V·s) 时,D ≈ 3.6 × 10⁻³ m²/s(≈ 36 cm²/s),与实验值吻合。


🗳 互动投票
在室温 300 K 的硅中,如果把温度提升到 400 K,电子的扩散系数会:

  • A. 增大 33%
  • B. 基本不变
  • C. 减小

👉 在评论区回复 A/B/C,并说说理由!


🧩 扩展思考

  • 强电场或高掺杂时,载流子温度 ≠ 晶格温度,关系式需修正。
  • 在二维材料(如石墨烯)中,(D/\mu) 仍满足同一形式,但有效温度受量子效应影响。

🐳🐳🐳爱因斯坦关系式

dn(x)dx=n0(x)qk0TdV(x)dx \cfrac{dn(x)}{dx}=n_0(x)\cfrac{q}{k_0T}\cfrac{dV(x)}{dx} dxdn(x)=n0(x)k0TqdxdV(x)

∣E∣=−dV(x)dx |E|=-\cfrac{dV(x)}{dx} E=dxdV(x)

n0(x)μn∣E∣=−Dndn0(x)dx n_0(x)\mu_n|E|=-D_n\cfrac{dn_0(x)}{dx} n0(x)μnE=Dndxdn0(x)


得,Dnμn=k0Tq 得,\cfrac{D_n}{\mu_n}=\cfrac{k_0T}{q} 得,μnDn=qk0T


对于空穴,Dpμp=k0Tq 对于空穴,\cfrac{D_p}{\mu_p}=\cfrac{k_0T}{q} 对于空穴,μpDp=qk0T

爱因斯坦关系式(Einstein relation)是描述半导体或导体中载流子(电子或空穴)的扩散系数(DDD)和迁移率(μ\muμ)之间关系的物理公式。这个关系式是由阿尔伯特·爱因斯坦在1905年提出的,用于解释布朗运动中的扩散现象。

在半导体物理中,爱因斯坦关系式通常写作:

Dμ=kBTq \frac{D}{\mu} = \frac{k_B T}{q} μD=qkBT

其中:

  • DDD 是扩散系数,单位是 m2/s\text{m}^2/\text{s}m2/s
  • μ\muμ 是迁移率,单位是 m2/(V⋅s)\text{m}^2/(\text{V}\cdot\text{s})m2/(Vs)
  • kBk_BkB 是玻尔兹曼常数,约等于 1.380649×10−23 J/K1.380649 \times 10^{-23} \text{ J/K}1.380649×1023 J/K
  • TTT 是绝对温度,单位是 K\text{K}K
  • qqq 是载流子电荷量,对于电子来说 q=−eq = -eq=e,对于空穴来说 q=eq = eq=e,其中 eee 是电子电荷量,约等于 1.602176634×10−19 C1.602176634 \times 10^{-19} \text{ C}1.602176634×1019 C

爱因斯坦关系式表明,在热平衡条件下,载流子的扩散系数和迁移率之间有一个简单的关系,这个关系只依赖于温度和载流子电荷量。这个关系式在半导体物理、固体物理和统计物理等领域都有广泛的应用。

在给出的公式中,n0(x)n_0(x)n0(x) 是载流子(电子或空穴)的浓度,V(x)V(x)V(x) 是电势,EEE 是电场强度。这些公式描述了载流子在电场中的迁移和扩散行为,与爱因斯坦关系式密切相关。其中,μn\mu_nμnμp\mu_pμp 分别是电子和空穴的迁移率,DnD_nDnDpD_pDp 分别是电子和空穴的扩散系数。

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