为什么最近内存条涨价这么离谱，何时会回落？

市场需求太大，尤其是以人工智能为代表的算力产业爆发式增长导致HBM扩产能，而星美海短期产能跟不上，就会挤占本就紧张的DDR5产能。还不管是算力、新能车等智能终端也需要存力，反馈到市场不只是DDR5，DDR4、DDR3等也都跟着涨。

一、内存涨价原因

近期涨价从宏观、微观上看主要受存储行业结构性调整和供需关系变化影响，尤其是供需：

1、AI需求爆发，产能被迫“让路”

这是最核心的原因。为了满足AI训练和推理对超高速度的需求，三星、海力士、美光等主要内存厂商正将大量产能转向生产HBM和DDR5 等高端产品。这直接排挤了传统DDR4内存的产能，导致其供应锐减。有数据显示，三大厂用于生产HBM的内存产能已占各自总产能的18%到26%。

HBM的产能有多紧张？

以三星、海力士、美光为代表的存储巨头都在快速扩张调整HBM产能，以应对人工智能爆发带来的需求激增

厂商	当前产能与扩产计划	技术进展与目标	市场地位与客户情况
SK海力士 (SK hynix)	2025年产能已售罄，2026年产能也基本售罄 ； 新建的M15X工厂将于2025年11月竣工，旨在将HBM产能提高20%-30%	正为HBM3E和HBM4准备量产，初期采用更成熟的1bnm工艺以确保效率和良率 - 已开始将混合键合技术用于3D DRAM量产，为下一代HBM4做准备	目前市场份额领先 ，是英伟达等客户的主要供应商
美光 (Micron)	计划到2025年末将HBM市场份额提升至24% ；正在美国、马来西亚等地建设新的HBM测试和量产产线	12层HBM3E已开始批量生产，并计划在2025年下半年成为出货主力 - 计划在2026年开始批量生产HBM4	2025年第一季度DRAM市场份额为24.3%，但HBM市占率较低 ， 已将HBM业务拓展至英伟达、AMD等四个主要客户
三星 (Samsung)	2025年的HBM产能同样已售罄 ， 计划在平泽和华城工厂扩大更先进的1cnm工艺DRAM生产，目标月产能提升至40,000片晶圆	在12层HBM3E方面处于领先地位 - 为追赶竞争对手，押注更先进的1cnm工艺用于HBM4生产	HBM3已打入英伟达供应链，但HBM3e产品在进入英伟达供应链时遇到挑战

一句话总结：

目前HBM市场处于严重的供不应求状态，不仅SK海力士和海力士2025年的产能早已售罄，美光也提到订单能见度直达2026年第一季度

为什么是HBM成为AI算力中心的标配?

与 DDR 内存相比，HBM 的能效比提升 40%，单机架能耗降低 2%—— 这对年耗电量占全球 1% 的 AI 数据中心而言，意味着实打实的成本优化。从 2015 年 AMD首推 HBM1，到 2024 年 NVIDIA H200 搭载 HBM3e，HBM 已成为高端 AI 芯片的 “标配”，渗透率从 2023 年的 15% 飙升至 2025 年的 60%。

HBM的技术演进:

HBM的技术工艺:

2、 上游厂商主动调整策略

除了产能转移，国际大厂也在有计划地减少甚至停止DDR4的生产。例如，美光已确认停产用于PC和数据中心的DDR4产品。同时，所有存储厂商的库存去化已见成效，市场从供过于求转向供不应求，为涨价提供了基础。

以SK海力士为例：

全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示，已决定投资约9.4万亿韩元(约合493.4亿人民币)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。按照计划，SK海力士将于明年3月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于2027年5月竣工。

SK海力士此次10%+的DRAM涨价并非孤立行动，其背后是一组关键财务数据的支撑：

HBM产品线：占总营收比从2023年Q3的18%飙升至2024年Q3的39%，毛利率达58%

产能分配：将40%的DRAM产能转向HBM3E生产，导致标准型DRAM供应减少25%

成本结构：EUV光刻机使用率提升使单位晶圆成本增加7%，但HBM溢价覆盖了成本增长

海力士的存储涨价会带动上下游产业链跟着涨价,像模组厂、OEM厂商、终端市场、期货市场等

存储厂商公司主动调价，有意为之

公司战略转型：“规模优先”->“利润优先”

三星、SK海力士、美光三大寡头摒弃了过去“规模优先”的策略，转向“利润优先”，将先进制程产能集中投向高附加值产品。DRAM领域，三星率先停止DDR4生产，SK海力士计划将DDR4产能压缩至20%，美光与SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新订单，所有资源向DDR5与HBM倾斜；NAND市场，厂商纷纷缩减消费级产能，将产能转向企业级3D QLC产品。

虽然全球DDR4产能下降超过20%，但同期需求仅下降8%，供需缺口从5%迅速扩大至17%，渠道库存周转天数从90天骤降至30天，这为DDR4价格暴涨埋下伏笔。

行业利润导向下的产能再分配

高带宽内存（HBM）正在重塑存储行业的利润格局。HBM单价达DDR4的5-10倍，SK海力士2025年HBM产能已全部售罄，销售额预计同比翻倍。三星、美光亦将先进制程产能向HBM、DDR5倾斜，三星将1Y纳米工艺的16Gb DDR4产能转向DDR5后，毛利率较DDR4时代提高12个百分点。

3、消费级存储芯片需求依然旺盛

尽管AI需求旺盛，但当前的PC和服务器市场仍有大量仅支持DDR4的硬件平台（如Intel的某些CPU）。在AI服务器需求强劲和PC厂商为避免关税风险提前备货的双重推动下，对DDR4的需求依然旺盛，加剧了供需矛盾。

支持DDR4的硬件平台，好多CPU和主板还处于当打之年

平台	CPU代数/系列示例	CPU插槽	兼容主板芯片组示例	内存标准
英特尔	第6代、第7代 (如酷睿i7-6700K)	LGA 1151	100系列 (如H110)、200系列 (如H270)	DDR4
	第8代、第9代 (如酷睿i5-9400)	LGA 1151	300系列 (如B360, Z390)	仅支持DDR4
	第10代 (如酷睿i5-10400)	LGA 1200	400系列 (如B460)	DDR4
	第12代、第13代、第14代 (如酷睿i5-13600K)	LGA 1700	600系列 (如B660)、700系列 (如B760, H610)	部分主板支持DDR4
AMD	锐龙 (Ryzen) 1/2/3/4/5代 (如锐龙5 5600X)	AM4	A520、B450、B550、X570等	DDR4

DDR4芯片在汽规、工控领域应用目前还不可替代

DDR4在工业、汽车等细分领域的“长尾需求”仍将延续，原厂的战略收缩直接引发产业链连锁反应。一方面，工业控制、汽车电子等领域的刚性需求仍在，车载信息娱乐系统、自动驾驶域控制器这类场景占当前DDR4需求的60%以上。

4、 技术迭代的阵痛

此次涨价潮中，DDR4的价格涨幅远高于DDR5，甚至出现价格“倒挂”的罕见现象。这正是因为产能重心向DDR5转移，导致DDR4严重缺货。这种新老技术交替期的结构性失衡，是推动价格上涨的关键因素。

为什么DDR4的价格涨幅远高于DDR5？

DRAM产品中，DDR4和LPDDR4X最早开始涨价。群智咨询表示，由于原厂产能倾向于向HBM（高带宽内存）、DDR5等高利润产品转移，希望优先将产能分配给高附加值产品等原因，头部存储厂商已给出LPDDR4X停产时间点，其中美光和SK海力士将于今年年底停止接收新订单，市场预期三星将在2026年逐步停产，国内厂商产能也向LPDDR5X倾斜。

二、未来价格走势？

内存价格在短期内难以回落：

• 涨价持续：天风证券预测，2025年第四季度DRAM合约价将环比上涨8%-13%，若计入HBM，涨幅会扩大至13%-18%

• “超级周期”开启：摩根士丹利等机构认为，在AI的驱动下，存储市场将开启一个持续数年的“超级周期”，行业景气度可能持续走高

在当前中美贸易摩擦不断升级的背景下，尽管HBM国产化率几乎为0，虽然美国对中国HBM芯片及制造设备的制裁还未正式出台，但是国内玩家仍然需要在这个领域进行大规模投入，防止哪一天真的被“卡脖子”。比如通富微电（002156）近期已经开始试产HBM2，并提供给特定客户，也已经开始向一些客户提供HBM2内存测试包。除此之外，长鑫存储实现了HBM2内存的客户送样测试，预计今年年内可以实现小规模量产。

HBM（高带宽内存）的核心突破在于3D 堆叠技术：通过硅通孔（TSV）将 12 层甚至更多 DRAM 芯片垂直堆叠，在毫米级空间内实现 4.9TB/s 的带宽（HBM3e），是传统 GDDR6 的 5 倍以上。

附：

不同类型内存的近期涨幅：

内存类型	具体案例/型号	近期价格涨幅
DRAM (内存)	DDR4 RDIMM 16GB 3200 (服务器内存)	单周涨幅达 66.67% (至150美元)
	消费级DDR4 (2025年第三季度预测)	季度涨幅预计 40% - 45%
	全系列DRAM产品 (2025年10月数据)	连续五个月大幅上涨
NAND Flash (闪存)	1Tb Flash Wafer (上游原材料)	一个半月累计涨近 15%
	512Gb Flash Wafer (上游原材料)	一个半月累计涨超 20%