AFSim仿真系统— 122 扩展旁瓣消隐
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effect <effect-name> WSF_SLB_EFFECT
electronic_warfare_effect Commands
WSF_POWER_EFFECT Commands
... WSF_SLB_EFFECT Commands ...
target_blanking_effect ... end_target_blanking_effect
end_effect
...
WSF_NX_SLB_EFFECT 是一种电子战效果类型,可以在电子保护(electronic_protect)或电子攻击(electronic_attack)技术块中使用。它是预定义的电子战效果类型之一,提供了一种基于检测到的每个干扰脉冲的范围单元空白数量的算法计算效果。
功能与作用
目标空白效果(target_blanking_effect):此效果类型扩展了基础的WSF_SLB_EFFECT的目标空白效果,增加了一个算法计算效果。该算法基于每个干扰脉冲检测到的范围单元空白数量进行计算。
- target_blanking_effect <target-blanking-type> … end_target_blanking_effect:这是一个输入块,用于提供饱和效果及其相关的输入命令。可以使用的目标空白效果包括基础目标空白效果以及:
- cell_blanking_probability_effect:概率是使用在系统中指定的‘number_of_cells_blanked’的N个单元的累积概率计算的。公式如下:

- number_cells_blanked <integer-value>:指定每个触发空白的干扰脉冲空白的连续范围/速度单元数量,从[1, N]。默认值为1。
- cell_blanking_probability_effect:概率是使用在系统中指定的‘number_of_cells_blanked’的N个单元的累积概率计算的。公式如下:
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