射频集成电路设计_ADS衬底建模和设置
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ADS衬底建模和设置
在利用ADS对片上器件进行仿真时,需要首先建立被仿真器件衬底的模型。实际加工的工艺包可在各大厂商处获得,绝大多数的工艺包都会包含衬底各层材料的厚度、电导率、介质材料厚度以及介电常数等。
在这里,我们将利用表1的衬底工艺参数进行建模,这是一种90nm通用工艺PDK的衬底参数。
表1
1.衬底层设置
根据表1的参数,在ADS中设置衬底层如下(Options-Technology-TechnologySetup)
2.衬底模型设置
(1)ADS主界面单击File—New—Substrate,设置衬底文件
(2)根据所需要的工艺进行衬底材料、介电常数的设置
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(3)添加硅衬底材料、设置金属属性、介质属性等
(4)设置材料厚度
(5)设置金属层厚度
(6)本例中,为了加快仿真速度,将简化衬底中间金属层和介质层的设置。选取第1、7,8,9层金属作为设计片上器件的金属层,将中间层金属合并。
在硅衬底上方添加一介质层IMD1(鼠标选中硅衬底,右键单击选中Insert Substrate Layer Above)
(7)继续在IMD1层上面设置金属层M7,并设置过孔V1(鼠标右键单击IMD1介质,并分别选中Map Conductor Via 和Map Conductor)。依照此步骤设置相应的介质层和金属层,
最终设置的衬底模型为:

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