W25Q128
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什么是 W25Q128 ？
W25Q128是一款由Winbond（威邦电子）公司生产的闪存存储器芯片，属于串行闪存系列。具体来说，W25Q128是一颗128Mb（兆位）容量的串行闪存芯片，其中"W"代表Winbond，"25"表示该系列产品的家族编号，"Q"表示是串行闪存，而"128"表示存储容量为128Mb。
以下是W25Q128的一些基本特性：
- 容量： 128Mb，即16MB（兆字节）。
- 接口： 串行外围接口（SPI）。
- 工作电压： 2.7V至3.6V。
- 时钟频率： 支持高达104MHz的串行时钟。
- 扇区结构： 分为若干个扇区，每个扇区可擦写和读取。
这种类型的闪存通常用于存储程序代码、数据以及其他需要在系统断电时保持的信息。SPI闪存广泛应用于嵌入式系统、单片机、存储卡、电子设备等领域，因为它具有高速、低功耗、易于集成等优点。
- Flash 是常用的用于储存数据的半导体器件，它具有容量大，可重复擦写、按“扇区/块”擦除、掉电后数据可继续保存的特性。
- Flash 是有一个物理特性：只能写 0 ，不能写 1 ，写 1 靠擦除。
- 不同类型的Flash存储器包括 NOR Flash 和 NAND Flash，它们在结构和应用方面有一些区别。 NOR Flash 通常用于存储代码，而 NAND Flash 更适用于大容量数据存储。
W25Q128 存储架构
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扇区（Sector）： W25Q128通常将存储空间划分为多个扇区，每个扇区的大小通常为4KB。每个扇区都有一个唯一的地址，可以单独进行擦写和擦除操作。
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块（Block）： 扇区可以组合成块，具体块的大小可能是多个扇区的整数倍。擦写和擦除操作通常以块为单位执行。
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页（Page）： 每个扇区通常分为多个页，每页的大小通常为256字节。写入操作通常以页为单位进行，即每次写入的数据不可超过一页的大小。
这种存储架构的分层设计使得存储器在擦写和擦除时可以更加灵活，而不必对整个存储器进行操作。这是为了减少擦写和擦除操作对存储器的寿命产生的影响，因为这两种操作通常是有限次数的。
一般按扇区（4k）进行擦除。
可以按 章 -- 节 -- 页 -- 字 进行理解。
W25Q128 常用指令
W25Q128 全部指令非常多，但常用的如下几个指令：
写使能 (06H)
执行页写，扇区擦除，块擦除，片擦除，写状态寄存器等指令前，需要写使能。
拉低CS片选 → 发送06H → 拉高CS片选
读状态寄存器（05H）
拉低CS片选 → 发送05H→ 返回SR1的值 → 拉高CS片选
读时序（03H）
拉低CS片选 → 发送03H→ 发送24位地址 → 读取数据（1~n） → 拉高CS片选
页写时序 (02H)
页写命令最多可以向FLASH传输256个字节的数据。
拉低CS片选 → 发送02H→ 发送24位地址 → 发送数据（1~n） → 拉高CS片选
扇区擦除时序（20H）
写入数据前，检查内存空间是否全部都是 0XFF ，不满足需擦除。
拉低CS片选 → 发送20H→ 发送24位地址 → 拉高CS片选
W25Q128 状态寄存器
W25Q128 一共有 3 个状态寄存器，它们的作用是跟踪芯片的状态。
其中，状态寄存器 1 较为常用。
BUSY：指示当前的状态，0 表示空闲，1 表示忙碌 WEL：写使能锁定，为 1 时，可以操作页/扇
区/块。为 0 时，写禁止。
W25Q128 常见操作流程
以下流程省略了拉低/拉高片选信号CS。
读操作：
擦除扇区：
写操作
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