Si (band structure)

VASP中能带结构计算流程与态密度相同，具体不同点如下；

1. scf自洽计算

与态密度dos计算中的scf自洽计算完全相同。

2. 能带结构非自洽计算

能带计算与scf计算中的输入文件对比如下：

POTCAR：不需更改，与scf计算相同。

POSCAR：不需更改，与scf计算相同。

KPOINTS：需要修改，指定高对称k点路径。

INCAR：参数调整，在scf计算的INCAR基础上添加专用于非自洽

计算的参数。

3. 数据后处理、画图

采用gk.x、pbnd.x和syml脚本，处理DOSCAR。再采用Origin画图分

析。

其中需要注意的是：

1. 对于能带结构计算，非自洽计算步骤中INCAR文件的ISMEAR=O or 1 （不能采用-5）。

2. POSCAR、POTCAR与静态自洽计算相同。

3. KPOINTS （能带计算要求更精确的k点路径）。

4. 接下来，我们只介绍采用PBE泛函计算得到的能带结构。HSE06 泛函计算能带结构的流程与计算态密度相同，大家可以在培训班 之后自行计算。

创建输入文件：INCAR、POSCAR、KPOINTS、POTCAR、 WAVECAR、CHG、CHGCAR

1） 确定自己在vasp2015文件夹下

2） 创建Si-bs文件夹（釆用Si-dos为模板）

cp -r Si-dos Si-bs

3） 将分析band structure的脚本文件复制到Si-bs文件夹中：

cp gk.x pbnd.x syml Si-bs

4） 赋予脚本可执行权限：

chmod +x gk.x

chmod +x pbnd.x

5）进入bs文件夹：cd Si-bs

创建输入文件：INCAR、POSCAR、KPOINTS、POTCAR

)修改输入文件：POSCAR、POTCAR不需改动

INCAR需要改动

创建输入文件：INCAR、POSCAR、KPOINTS、POTCAR

6）修改输入文件：POSCAR、POTCAR不需改动

k点需要借助syml和gk.x两个脚本共同生成

根据scf计算的OUTCAR文件编辑syml文件：vi syml

创建输入文件：INCAR、POSCAR、KPOINTS、POTCAR

6）修改输入文件：POSCAR、POTCAR不需改动

syml文件编辑完成后，

运行gk.x文件：./gk.x

则生成用于计算能带结构

的KPOINTS文件

提交作业：qsub vasp.pbs

处理数据——能带结构

采用脚本处理：pbnd.x

确认自己在Si-dos文件夹

运行pbnd.x脚本

./pbnd.x

文件夹中则产生BANDS、bnd.dat、highk.dat输出文件。

其中bnd.dat则为能带结构图

highk.dat则为syml中每个高对称k点的

注意：此脚本与VASP程序包无任何关系，是之前一些VASP使用者为了方便处理数据而写。

高对称点路径

：此脚本与VASP程

高对称点路径

高对称点路径

序包无任关系，是

保存计算结果文件

将bnd.dat和highk・dat文件回传至本地

画图分析

釆用origin软件直接打开bnd.dat

根据highk.dat 中的坐标确定k点位置，画竖线。右图六个点的横坐标为syml对应的六个k点。

之前一些VASP使用者为了方便处

理数

电子结构计算总结