一片晶圆（wafer）能切割出多少颗芯片（die）呢？

晶圆是圆的（因为硅锭是圆柱形的），而芯片是方形的，所以两者不能按照面积之比来计算切割数量。通用的计算公式是这样的：

        Q = [(wafer_area / die_area) - Pi * (wafer_diam / die_diag)] * yield

Q: 切割数量

wafer_area: 晶圆面积

die_area: 芯片面积

wafer_diam: 晶圆直径

die_diag: 芯片对角线长度

yield：良率

举个例子，12寸晶圆能切割出多少颗20 mm^2的芯片呢？

12寸指的是晶圆直径，约为300mm，但是需要刨去3mm的wafer edge exclusion，所以有效直径为294mm。根据圆面积计算公式wafer_area = Pi * r^2，得到晶圆面积为67887 mm^2.

假设芯片是正方形的，那么对角线长度为 * = 6.325mm，再假设良率为95%，最后带入公式计算：

Q = [(67887 / 20) - Pi * (294 / 6.325)] * 95% = 3086

我们发现，公式中的减数项跟芯片对角线成反比，同样面积下，越窄长的长方形，其对角线也就越长。比如，上面的例子中我们假设芯片是边长为2mm*10mm的长方形，其对角线为10.2mm，带入公式计算得到Q = 3139，比正方形多切出来53颗芯片！有这样的好事？

答案显然是否定的。且不说窄长的形状不利于布局布线，单就foundry来说，也会给出一定的长宽比约束规则，在满足其规则的前提下才能得到较高的良率（且还能获得价格上的折扣），而如果不满足其规则，就算真的多切几颗出来，成本也不会有优势。