一、前言

  大多数人都知道——即使是大量随机排列字符的猴子也写不出一本有趣的书,一些人往往会忘记的是——即使是大量的 ”Spice Monkeys” 随机调整电路也永远无法设计出稳健、优化的电路, 简单地说 Spice 只是一个 “计算器” ,让你评估和测试你的想法,去验证你设计的电路。现在通过仿真 MOS 管的 I-V 曲线去估算工艺参数,以方便在以后的电路设计中提供估算参数。

二、I-V曲线扫描

NMOS

1. 电路图image-20230811232314383
2. ADE

image-20230812201705115
image-20230812201748706

3. 参数扫描

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4. 仿真结果

image-20230812203335742

PMOS

1. 电路图

image-20230811230321735

2. ADE

image-20230812202841329

3. 仿真扫描image-20230811232106297
4. 仿真结果

image-20230812204139716

三、I-V 参数表

NMOS

VGS = 1V VGS = 1.2V
VDS = 0.8V 7.096 u 15.984 u
VDS = 1.5V 7.174 u 16.138 u

PMOS

VSG = 1 V VSG = 1.2 V
VSD = 0.8V 9.91 u 19.591 u
VSD = 1.5V 10.218 u 20.248 u

四、 参数计算

  饱和区电流公式
ID=12μnCoxWL(VGS−VTH)2(1+λVDS) I_{D}=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(V_{G S}-V_{T H}\right)^{2}(1+\lambda V_{DS}) ID=21μnCoxLW(VGSVTH)2(1+λVDS)

Step1

​   VGS = 1V ,V DS 分别为0.8 V,1.5 V(也就是 VGS = 1V 一列 ) 带入电流方程
7.096u=12μnCoxWL(1−VTH)2(1+λ0.8)(1)7.174u=12μnCoxWL(1−VTH)2(1+λ1.5) 7.096u=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(1-V_{T H}\right)^{2}(1+\lambda 0.8)\\ (1)\\ 7.174u=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(1-V_{T H}\right)^{2}(1+\lambda 1.5)\\ 7.096u=21μnCoxLW(1VTH)2(1+λ0.8)17.174u=21μnCoxLW(1VTH)2(1+λ1.5)
  上式中的左除以左,右除以右可以得 λn = 0.016 V-1

  从曲线就可以看见其斜率很小 ,λn 与 L 是成反比的关系,第一次仿真 L = 1u ,λn很小,减小 L 值后λn大了只是一点点,可能是工艺的区别吧

  Step2

​   当V DS = 0.8V ,V GS 分别为1 V,1.2 V(也就是 VDS = 0.8V 一行 ) 带入电流方程

7.096u=12μnCoxWL(1V−VTH)2(1+λ0.8)15.984u=12μnCoxWL(1.2V−VTH)2(1+λ0.8) 7.096 u=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(1V-V_{T H}\right)^{2}(1+\lambda 0.8)\\ 15.984u=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(1.2V-V_{T H}\right)^{2}(1+\lambda 0.8) 7.096u=21μnCoxLW(1VVTH)2(1+λ0.8)15.984u=21μnCoxLW(1.2VVTH)2(1+λ0.8)

  上式左边除以左边,右除以右可以得 VTH = 0.6 V

  Step3

  ​将λn = 0.016 V-1,VTH = 0.6 V ,W = 1u,L = 550n带入 step1 中方程可以得到 Kn = μn Cox = 4.82 × 10-5 A/V2

  同理可以求得

   p| = 0.046 V-1 |VTH|= 0.507 V|Kp| = μp Cox = 4.31 × 10-5 A/V2

  从实际电路查看直流工作点,发现误差还是很大的,VTH 相差了63mv

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五、beff 与 betaeff

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beff=μnCoxWLID=12beffWL(VGS−VTH)2 beff = \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\\ I_{D}=\frac{1}{2} beff \frac{W}{L}\left(V_{G S}-V_{T H}\right)^{2} beff=μnCoxLWID=21beffLW(VGSVTH)2
  用仿真得到 VTH,电流ID ,加上beff 可以满足平方率关系式

  bataeff 是考虑更多效应的结果,拉扎维书本Level 3 Model中描述
μ1=μeff1+μeffVDSvmax⁡L1μeff=μ01+θ(VGS−VTH) \begin{array}{l}\mu_{1}=\frac{\mu_{e f f}}{1+\frac{\mu_{e f f} V_{D S}}{v_{\max } L_{1}}}\\\mu_{e f f}=\frac{\mu_{0}}{1+\theta\left(V_{G S}-V_{T H}\right)}\end{array} μ1=1+vmaxL1μeffVDSμeffμeff=1+θ(VGSVTH)μ0

五、参考博客

https://blog.csdn.net/weixin_44115643/article/details/119062516
https://blog.csdn.net/qq_46579389/article/details/121505516

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